中信里昂纪要：美光弃4F² DRAM转3D DRAM
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中信里昂纪要：美光弃4F² DRAM转3D DRAM
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AI 综述
中信里昂根据美光总裁Scott Deboer主持的内存技术网络研讨会发布纪要，称美光拒绝将4F² DRAM作为未来微缩路径，认为决定DRAM密度的是电容器间距而非单元布局，转而支持3D DRAM。 美光计划2027年下半年量产1δ DRAM节点，目标较1γ实现20%中段的位密度提升。中信里昂同时认为，内存已成为AI系统性能的关键制约因素。
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最新进展10月29日 00:00
中信里昂解读美光内存技术路线：拒绝4F² DRAM，押注3D DRAM与垂直HBM报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月29日
- 东方财富研报·策略精选中信里昂解读美光内存技术路线：拒绝4F² DRAM，押注3D DRAM与垂直HBM
中信里昂根据美光总裁Scott Deboer主持的内存技术网络研讨会发布报告，认为内存已成为AI系统性能的关键制约因素。美光拒绝将4F² DRAM作为未来微缩路径，认为决定DRAM密度的是电容器间距而非单元布局，转而支持3D DRAM，并计划2027年下半年量产1δ DRAM节点，目标较1γ实现20%中段的位密度提升。
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