中信里昂解读美光内存技术路线：拒绝4F² DRAM，押注3D DRAM与垂直HBM
[中信证券经纪(香港)]超级智能靠内存运行
中信里昂根据美光总裁Scott Deboer主持的内存技术网络研讨会发布报告，认为内存已成为AI系统性能的关键制约因素。美光拒绝将4F² DRAM作为未来微缩路径，认为决定DRAM密度的是电容器间距而非单元布局，转而支持3D DRAM，并计划2027年下半年量产1δ DRAM节点，目标较1γ实现20%中段的位密度提升。
事实美光计划2027年下半年量产1δ DRAM，位密度较1γ提升20%中段；G11 NAND目标2027年下半年量产，密度约2倍于G9、超400层。
海外C投资机构视角不改变原有判断：属技术路线表态与远期量产计划，未触及云厂商资本开支与当前存储合约价。
对判断的影响不改变原有判断：属技术路线表态与远期量产计划，未触及云厂商资本开支与当前存储合约价。
落到谁半导体与光模块：美光科技 MU（HBM5、垂直HBM与AI级NAND路线）；SK海力士 000660.KS、三星电子 005930.KS（仍研究4F² DRAM，路线分化）；先进封装与基础裸片代工环节受牵动。
下一验证点11月 美光下一份季报的HBM订单与资本开支指引
索罗斯的周期与反身性视角视角分歧周期位置：半导体与光模块 后段（后移）—— 内存厂重申供应持续紧张、定制与垂直HBM协同设计，反身性循环仍在自我强化
对判断的影响周期位置：半导体与光模块 后段（后移）—— 内存厂重申供应持续紧张、定制与垂直HBM协同设计，反身性循环仍在自我强化
下一验证点美光下一份财报的资本开支与HBM产能指引（12月，北京时间）
索罗斯的周期与反身性视角：方法参考公开出版的投资著作整理，不代表任何机构或个人观点
JJC总视角危机判别：半导体与光模块 基本面（未损）—— 内存供应紧张持续，属需求与产能刻度，未见现金流或融资成本恶化
事实美光计划2027年下半年量产1δ DRAM节点，位密度较1γ提升20%中段；G11 NAND目标2027年下半年量产，密度约为G9的2倍、超过400层。
对判断的影响危机判别：半导体与光模块 基本面（未损）—— 内存供应紧张持续，属需求与产能刻度，未见现金流或融资成本恶化
落到谁受影响最大的是HBM与DRAM制造环节：美光科技 MU、SK海力士 000660.KS、三星电子 005930.KS；定制HBM与垂直HBM依赖与大型AI客户协同设计
下一验证点美光下一份财报（2026年12月）的经营现金流与资本开支；若现金流转弱则改判受损
JJC总视角：方法由公开财经文章的分析框架改写整理，只用公开数据，不代表任何机构或个人观点
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来源：东方财富研报·策略 · pdf.dfcfw.com